Diseño e implementación de un Amplificador de potencia multibanda de HF con filtros de eliminación de armónicos

Abstract

En este trabajo se expone, los fundamentos teóricos de los amplificadores de potencia y los filtros así como aspectos relacionados con el diseño y simulación de un amplificador de potencia clase A para RF (radiofrecuencia), en el cual se utiliza el transistor MOSFET(Field Effect Transistor Metal Oxide Semiconductor) como elemento amplificador, también se presenta el diseño y la simulación de una serie de filtros pasivos pasa bandas que puedan eliminar posibles armónicos que afecten la calidad de la señal, estos dos elementos componen la etapa final de hardware necesario para implementar sistemas de Radios Definidos por Software (SDR). Se realizó mediciones a filtros empleando el analizador de espectros FSH8, que posibilitó apreciar el comportamiento de los parámetros S, obteniéndose valores próximos a los obtenidos en simulación.

In this work, we discuss the theoretical foundations of the power amplifiers and filters as well as related design and simulation of a class A power amplifier for radio frequency aspects, wherein the MOSFET (Field Effect Transistor Metal Oxide Semiconductor) used as an amplifier element. The design and simulation of a series passive filter bandpass is also presented which may eliminate any harmonics that affect signal quality, these two elements form the final step necessary hardware to implement the systems Software Defined Radio (SDR). Measurements were performed on filters using the spectrum analyzer, It made it possible to appreciate the behavior of S parameters, obtaining close to those values in simulation.